CN
技术
大面积显示干法刻蚀设备领域的卓越技术实力
INVENIA率先在韩国实现了显示制造四大核心前段设备之一的Dry Etcher的国产化。
面向大面积工艺的等离子体刻蚀技术
凭借韩国首台国产Dry Etcher及第10.5代大面积量产经验，我们不断发展大面积显示刻蚀技术。通过ECCP、ICP等离子体控制及分区控制技术，提供适用于LCD、OLED阵列各类工艺应用的定制设备设计。
大面积均匀性
超大尺寸基板全表面的均匀
等离子体分布及分区控制
精密等离子体控制
基于专用射频设备设计的
实现ECCP、ICP等离子体控制与微细电路图形刻蚀
模块化设计
考虑维护便利性的
模块化架构应用
工艺适应能力
从LCD、OLED阵列的通用刻蚀
到高级刻蚀，满足多样化应用需求
研发成果与知识产权
INVENIA持续投入研发，深化核心技术，增强技术竞争力。
- 等离子体设备原创设计技术相关专利
- 56
- 真空贴合、检测及蒸镀设备相关专利
- 15
主要研发业绩
- 视觉板卡开发
- 搭载相机图像识别与处理算法
- Dry Etcher开发（PE方式）
- 确立自主大面积干法刻蚀设备机型
- 常压等离子体电极开发
- 以低成本、高效率的常压工艺替代高成本真空工艺
- 半导体等离子体离子注入
- 拓展至半导体设备制造领域
- Dual Mode Dry Etcher 开发
- 通过减少掩膜数量适应多种工艺
- 熔融焊料凸点制造模板
- 超精密低振动技术开发
- ICP Dry Etcher开发
- LTPS设备国产化后，可承接国内外客户设备订单
- 光刻在线TFT图形检测设备
- 开发RTR模块，进入并拓展光刻在线检测市场
- OLED热压贴合设备开发
- OLED封装工艺热压贴合设备开发
- 第8代及以上LCD RTR模块开发
- 第8代及以上LCD前段工艺设备核心技术开发
- M2 Ph1第8代热压贴合设备
- M2 Ph1第8代热压贴合设备联合开发
- AMOLED GRAPHENE SHEET
- 适用于柔性显示的新材料工艺联合研究
- 第10代高密度等离子体干法刻蚀设备核心技术开发
- 开发并实现高密度等离子体干法刻蚀设备商业化，掌握第10代相关核心技术
- 第8代OLED可补充蒸发源开发
- 开发可补充像素材料的第8代蒸镀系统
- 第10.5代ICP Dry Etcher国产化
- 第10.5代电感耦合等离子体设备开发