Plasma Treatment
优化OLED薄膜沉积前工艺的高效表面处理解决方案
采用适用于大尺寸（G8.5）OLED基板工艺的ECCP、ICP型表面预处理技术，将基板全表面的接触角精确控制在5°以下（≤ 5°），提高有机材料沉积效率，扩大工艺窗口，并最大限度减少量产过程中产生的颗粒。
Plasma Treatment
- 真空度：P/C ≤ 5.0 × 10⁻⁵ Torr
- E/R : ≤ 500Å/min (Low Power)
- Unif.(%) : ≤ 15%
CN
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